1.本科及以上学历,有微纳加工理论基础,有半导体器件工艺经验的优先; 2.有干法刻蚀,光刻,键合,蒸镀,PVD等项目经验或实习经验者优先; 3.有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料相关经验者优先。
1.硕士及以上学历,光学工程、半导体材料、物理等理工科专业, 2.具有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料相关无源器件的设计经验,包括器件设计、版图绘制等; 3.具备无源器件的测试经验,包括无源插损测试等。
1. 博士及以上学历,光学工程、半导体材料、物理等理工科专业; 2. 具有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料无源及有源器件的设计和制备经验,包括但不限于器件设计、版图绘制等经验; 具备片上光子集成器件的测试经验,包括但不限于插损测试、带宽测试及其他测试。
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