1.本科及以上学历，有微纳加工理论基础，有半导体器件工艺经验的优先；

2.有干法刻蚀，光刻，键合，蒸镀，PVD等项目经验或实习经验者优先；

3.有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料相关经验者优先。

1.硕士及以上学历，光学工程、半导体材料、物理等理工科专业，

2.具有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料相关无源器件的设计经验，包括器件设计、版图绘制等；

3.具备无源器件的测试经验，包括无源插损测试等。

1. 博士及以上学历，光学工程、半导体材料、物理等理工科专业；

2. 具有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料无源及有源器件的设计和制备经验，包括但不限于器件设计、版图绘制等经验；

具备片上光子集成器件的测试经验，包括但不限于插损测试、带宽测试及其他测试。

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