1. 博士及以上学历，光学工程、半导体材料、物理等理工科专业；

2. 具有Si/SiN/薄膜铌酸锂材料无源及有源器件的设计和制备经验，包括但不限于器件设计、版图绘制等经验；

具备片上光子集成器件的测试经验，包括但不限于插损测试、带宽测试及其他测试。