工作职责
1、器件设计方向：负责大功率半导体器件失效机理和性能调控方法研究、芯片结构设计和参数优化、性能仿真、工艺参数仿真、版图设计等相关工作； 
2、器件仿真方向：负责半导体物理机理建模、模型参数校准、器件特性仿真、多物理场快速求解方法、求解器的开发与优化、功率半导体仿真软件开发等相关工作； 
3、工艺研发方向：负责大功率半导体芯片工艺研发（光刻、注入、扩散、刻蚀、CVD、合金等）、缺陷检测、工艺异常原因分析与解决、工艺质量提升、配合工艺进程管理等相关工作； 
4、工艺整合方向：负责制定功率半导体芯片研发计划、跟踪流片进度、衔接芯片设计与工艺流片，负责工艺优化、制造稳定性和良率提升，统计制程管理，组织协调工艺各环节问题；
5、封装研发方向：负责功率半导体及集成电路芯片封装设计、封装多物理场分析、电磁兼容分析、封装工艺设计与开发、封装制造、性能与可靠性测试等；
6、支持维护方向：负责功率半导体技术支持及应用对接、工艺制造平台运行、设备维护管理等相关工作。
任职资格
1、本科及以上学历、硕士优先，微电子、集成电路、电气工程、材料物理与化学等相关专业；
2、熟悉功率半导体器件（如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理，有SiC/GaN项目经验者优先；
3、熟悉Sentaurus、Silvaco等半导体设计仿真软件、有工业软件开发经历者、熟悉半导体芯片及封装工艺者优先。

工作职责
1、负责半导体材料生长工艺开发与流程制定优化，确保产品质量和生产效率；
2、负责SiC/GaN外延片的生长实验，根据不同产品的需求，调整材料生长过程中的各种参数，保证生长的外延片符合质量标准；
3、进行外延片的物理、化学、结构等性能测试，分析测试结果并提出相应的改进方案，保证产品符合客户需求；
4、参与SiC/GaN外延片的工艺流程规范编制、工艺参数控制、设备维护和改进等工作；
5、对新材料、新工艺进行研究，探索并开发新型半导体材料及器件。
任职资格
1、本科以上学历、硕士优先，材料物理、半导体、微电子等相关专业；
2、熟悉半导体材料外延生长、半导体光电子等相关专业知识；
3、具有半导体材料的MOCVD外延生长的项目经验者优先；
4、工作认真仔细，做事有条理和逻辑，有很强的责任心，较强的学习能力，善于思考、做事严谨。