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射频器件高级主任工程师
射频器件高级主任工程师
60-80W/年
江苏 -苏州 硕士 6年 微电子或半...等专业
岗位职责:
1、配合客户和市场需求制定RF开发目标及业务实现规划;
2、承担项目经理或器件负责人工作,完成产品研发并交付满足技术指标要求的产品;
3、协调与其它部门资源合作,确保项目进度;
4、建立规范的研发和测试表征体系。

任职要求:
1、具备6年以上相关经验
2、精通射频微波GaN HEMT半导体器件原理和制造工艺;
3、熟练使用RF GaN HEMT测试表征系统如网络分析仪、loadpull等;
4、熟悉RF GaN HEMT器件设计、匹配设计、封装设计等;
5、熟悉RF GaN HEMT器件模型开发;
6. 有完整RF GaN HEMT器件开发和性能提升经验者优先。
工作地点:
江苏苏州市吴江区江苏省苏州市吴江区汾湖经济开发区新黎路98号
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60-80W/年
江苏 -苏州 硕士 1人 微电子或半...等专业
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
私营·民营企业 电子/微电子技术/集成电路
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